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2014年12月16日 火曜日

▽ ルネサス エレクトロニクス ▽ 車載情報機器向けに最先端16nmFinFETを用いたSRAMを開発


ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役会長:作田 久男、以下ルネサス)は、16nm(ナノメートル、10億分の1)世代プロセス以降の車載情報機器用SoC(system on chip、システムLSI)向けに新しい回路技術を開発いたしました。今回、ルネサスはSoCに搭載されるCPUやリアルタイム画像処理ブロックのキャッシュメモリとして、この回路技術を採用したSRAMを最先端16nmプロセスで試作し、0.7Vの低電圧条件にて、641ピコ秒(ps:ピコは一兆分の1)の高速動作を確認しました。


詳細記事はこちらから・・・http://japan.renesas.com/press/news/2014/news20141216.jsp


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