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2015年1月29日 木曜日

 ▽ 日本テキサス・インスツルメンツ ▽ 日本TI、オン抵抗が業界最小のNexFET Nチャネル・パワーMOSFETを発表

日本TI、オン抵抗が業界最小のNexFET Nチャネル・パワーMOSFETを発表

日本テキサス・インスツルメンツは、ホットスワップやORing電源向けに、業界最小のドレイン・ソース抵抗(Rdson)を実現し、QFNパッケージに封止した25V動作『CSD16570Q5B』と30V動作『CSD17570Q5B』などの、Nチャネル・パワーMOSFET 11製品をNexFET™製品ラインアップに追加したと発表しました。新製品のうち、低電圧電池駆動機器向けの12V動作『CSD13383F4』FemtoFET™は0.6 mm × 1mmの小型パッケージを採用しており、競合製品に比べてドレイン・ソース抵抗を84パーセント低減しています。製品の詳細、無償サンプル、リファレンス・デザインに関しては、http://www.tij.co.jp/csd16570q5b-pr-jpをご覧ください.

 詳細記事はこちら・・・http://newscenter-jp.ti.com/index.php?s=20295&item=123634

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